产品描述
SI4800BDY-E3
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:30 V
闸/源击穿电压:+/- 25 V
漏极连续电流:6.5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:18.5 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOIC-8 Narrow
封装:Reel
下降时间:12 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:1.3 W
上升时间:12 ns
典型关闭延迟时间:32 ns
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图 1
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