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氧化铪
化学符号：HfO2 
外    观：白色
分 子 量：210.49 
密    度：9.7g/cm³
熔    点：2500℃ 
折射率（波长/nm）：1.9-2.1（300）
     1.84-2.0（2500）
沸    点：5400℃ 
线膨胀系数：5.8×10-6/℃（250-1300）
10¯4真空下蒸发温度为：2500℃ 
蒸发方式：电子束
透明波段/nm：235-2500 
介电常数：20.5-23
比    容：0.05μF/cm2 
电容温度系数TCC：（1.25～2.50）×10-4/℃
性    能：适于电子枪蒸发，成膜致密稳定。紫外波段的优良材料。不溶于水，耐化学性质，但在高温下能与氢氧化物起反应，膜坚硬；
应    用：主要用于紫外膜、防反膜或高反膜和耐火材料、紫外-近红外多层膜。
          HfO2薄膜是一种绝缘氧化物，即可做薄膜电阻，又可做介子薄膜，一般用溅射法沉积制备。
HfO2分析报告:
Ti Fe Mn Mg Cr Ni
0.0 1 0.012 0.001 0.015 0.005 0.009
Al  Cu      
0.0 1 0.005