万裕SAMXON电容

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最后上线︰2021/01/12

万裕电解电容的绝缘层是由阳极氧化（化成）在铝箔上形成铝氧化物层，绝缘层厚度随着化成电压的增大而增大，其比率是1.2 nm/V。即使是很高耐压的电解电容，其氧化层也不超过1 mm这样可以节省电极空间。这是高容积率可以实现的一个原因（相比较而言，纸绝缘层的最小厚度为6 to 8 mm)。

在化成过程中，蚀刻铝箔的细小凹陷由于化成电压及蚀刻铝箔的厚度不同而结壳厚度不同。由于这个效应，在铝箔蚀刻时电容的工作电压范围必须予以考虑。氧化层的阻抗随电压变化而变化，这使得电流随电压的增加而很陡峭地增加。其特性如图4所示。

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