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ME8313可以实现高平均效率、 可提供线损补偿。可以轻松做到待机100mW内。

芯片的主要特点：
● 全电压输入，恒压精度可控制±5%以内；
● 全电压范围内高精度恒流调节；
● 原边控制内置MOS芯片；
● 逐周期电流限制;
● VDD低压滞后闭锁(UVLO)；
● 超低启动电流（典型值 1uA）；
● 带可调线损补偿 ；
● 内置短路保护、VDD过压保护；
● 内置初级绕组电感补偿；
● 内置反馈回路开路保护；
● 内置前沿消隐；
● 采用DIP-8封装；

二、各脚的功能以及调试中注意事项：
1.VDD供电脚：
ME8313 的启动电流低至1uA，可有效地减少系统启动电路的损耗，减小待机功耗。启动
阈值电压13.6V 关断阈值电压7.6V，OVP电压为30V。建议在调试计算中VCC辅助绕组电压一
般设置在20V内， VCC电解推荐为10uF。
2. COMP脚：
线损补偿脚，外接电容对地，推荐使用范围0.1-1uF，DEMO板上使用的为0.22uF。
3.INV 反馈电压输入端：
INV反馈阈值电压为2V。不管是恒流模式还是恒压模式，都工作在断续模式（DCM） 。为
了避免进入连续模式（CCM） ，在每个周期都采样 FB 端下降沿波形，如果 0.1V的下降
沿电压没有被探测到，则强制关闭开关管。使之进入断续模式。画PCB时注意尽量远离功
率地线。
该脚还有线损补偿功能，FB外接电阻大（比例不变），输出补偿多，反之小。
4.CS原边电流采样端：
CS端是原边电流采样端，峰值电流预检测阈值是580Mv。当MOS管打开时，过冲电流会产
生在采样电阻上。为了避免开关误操作，芯片内置了一个前沿消隐LEB时间，人为产生一
个 500ns 的空白期，使得MOS管不会被误操作而关闭。CS脚的峰值电流检测阈值为580mV。
这个脚不需要外接电容。
5.GND：
芯片的电源接地脚，画PCB时注意与功率地分开布线。
6.DRAIN 脚：
ME8313内部集成一个600V/2A的高压功率 MOSFET，该脚为内部高压功率 MOSFET的漏极，
接变压器初级。
三、其他的注意事项：
1）起动电阻阻值之和推荐是3-6M左右，阻值的大小取决于低压时启动时间和最低启动电
压和VCC电解决定。
2）初级峰值电流大小是由R6//R12的阻值来设置，均采用1%精度电阻。
3）输出电压的大小取决于FB的采样电阻R8,R9来设置，均采用1%精度电阻。R8阻值大，
输出电压大，反之小。
4）输出假负载可在0.008A电流左右，空载待机可以做到小于100m W。
5）电源初次调试启动不良时，首先要检查变压器相位和绕组的计算是否正确，确认无误
后检查线路连接是否正确、PCB布线是后正确合理等。
6）采样配比情况，当电源出现打嗝时，请检查 FB采样配比、VCC触发欠压或过压所致，
调整FB电阻值或者变压器匝比即可解决。