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选型表：

  

型号	VDSMAX	IDSMAX	VGS	RDSON'@25	RDSON'@250	Input Capaciance(Typ)	package	RthJ(Typ)	操作温度
CHT-NMOS8001	80V	1A	0 to +5V	1.2Ω	2.4Ω	160pF	TDFP	11°C/W	-55℃ to 225℃
CHT-NMOS8005	80V	5A	0 to +5V	0.48Ω	0.99Ω	410pF	T0254	5°C/W	-55℃ to 225℃
CHT-NMOS8010	80V	10A	0 to +5V	0.24Ω	0.46Ω	850pF	T0254	5°C/W	-55℃ to 225℃
CHT-NMOS4005	40V	5A	0 to +5V	0.38Ω	0.65Ω	370pF	T0254	5°C/W	-55℃ to 225℃
CHT-NMOS4010	40V	10A	0 to +5V	0.20Ω	0.36Ω	720pF	T0254	3°C/W	-55℃ to 225℃
CHT-NMOS4020	40V	20A	0 to +5V	0.12Ω	0.25Ω	1.84nF	T0254	2°C/W	-55℃ to 225℃
CHT-SNMOS80	80V	300mA	-0.5V to +5.5V	07.5Ω	15Ω	23pF	TO39,TO18	60°C/W	-55℃ to 225℃
CHT-PMOS3002	30V	2A	+0.5V to -5.5V	2.3Ω	3.9Ω	150pF	TO254	5°C/W	-55℃ to 225℃
CHT-PMOS3004	30V	4A	+0.5V to -5.5V	1.1Ω	2.0Ω	300pF	TO254	5°C/W	-55℃ to 225℃

 

 

1)高温功率MOSFET N-channel 80V

CHT-NMOS-80，分别工作于5A和10A最大漏极电流，有两个型号：CHT-NMOS8005 and CHT-NMOS8010，具有极佳的高温性能和可靠性。

CHT-NMOS80XX (CHT-NMOS8005 and CHT-NMOS8010)：

· 温度范围: -55°C to +225°C

· 漏极电压最高:80V

· 最大漏极电流 @ 225°C: (CHT-NMOS8005) 5A ，(CHT-NMOS8010) 10A 

· 导通电阻@25°C:0.50Ω (CHT-NMOS8005) and 0.25Ω (CHT-NMOS8010)

· 栅极源极电压Vgs：0V to到 +5V

· 封装：TO-254 或根据客户要求提供晶元或其它定制型封装形式

 CHT-NMOS80 

· 温度范围: -55°C to +225°C

· 漏极电压最高80V

· 最大漏极电流3.4A @ 225°C

· 导通电阻@25°C: 0.55Ω  

· 栅极源极电压Vgs：0V to到 +5V

· 封装：TO-254 或根据客户要求提供晶元或其它定制型封装形式

2) 高温功率 MOSFET N-channel 40V

CHT-NMOS40**是40V N沟道功率器件，有三个型号，分别工作于5A,10A和20A最大漏极电流，具有绝佳的可靠性和高温性能。

· 温度范围: -55°C to +225°C

· 漏极电压最高40V

· 最大漏极电流@ 225°C: 3.9A (4005), 7.6A (4010), 14A (4020)

· 导通电阻0.4Ω (4005), 0.2Ω (4010), 0.12Ω (4020) @25°C

· 栅源电压VGS:0V to到 +5.5V

· Also available as bare die

CHT-PMOS30**是30V P沟道功率器件，有三个型号，分别工作于2A,4A和8A最大漏极电流，具有绝佳的可靠性和高温性能。

3) 高温功率 MOSFET P-channel 30V

· 温度范围: -55°C to +225°C

· 漏极电压最高30V

· 最大漏极电流@ 225°C: 2A (3002), 4A (3004), 8A (3008)

· 导通电阻：3.9Ω (3002), 2Ω (304), 1Ω (3008) @225°C

· 栅源电压Vgs：0V to 到+5V

· Also available as bare die

 1） 高温小信号 MOSFET N-channel 80V

小信号N沟道MOSFET器件，适用于传感器接口，例如压力传感器，保护放大器，高阻抗负载切换，电平转换和高温二极管。

· 温度范围: -55°C to +225°C

· 漏极电压最高：80V

· 最大漏极电流 300mA @ 225°C

· 栅源电压：0V to +5V

· 栅极输入电容: 23pF

· 225°C工作时漏极截止电流@ 0.4μA

· 封装形式：TO39金属外壳             

· 温度范围: -55°C to +225°C

2） 高温小信号MOSFET P-channel 30V

· 漏极电压最高：30V

· 漏极电流最高： 310mA   @ 225°C

· 栅源电压：0V to +5V

· 栅极输入电容: 14pF

· 225°C工作时漏极截止电流@ 0.4μA

· TO39金属外壳 

· 温度范围: -55°C to +225°C

6)高温dual MOSFET N-channel 40V

· 漏极电压最高：40V

· 漏极电流最高：225°C  2A

· 导通电阻0.4 Ohms (each transistor) 

· 栅源电压：0V to +5V

· Ceramic SOIC16 package

· 温度范围: -55°C to +225°C

7）高温高电压碳化硅开关

· 漏极电压最高：600V

· 最大漏极电流@ 225°C: 1A

· 导通电阻： 0.7Ω @ 25°C and 1.25Ω @ 225°C 

· 栅源电压：0V to +5V

· Metal TO254 package

Ordering #	Description	Datasheet
CHT-PLA3172A-TO254-T	Silicon Carbide (SiC) High Voltage Switch	CHT-JUPITER datasheet (243 KB)

8）高温双系列小信号二极管 Dual Series Small Signal Diode

·  温度范围 -55°C to +225°C · 最大的反向电压: 80V · 最大正向电流 @ 225°C: 300mA · 电容值: 8.5pF · 反向电流：8.9μA @ 225°C  · TO18 metal can package Ordering #  Description  Datasheet  CHT-PLA5598A-TO18-T  Dual Series Small Signal Diode  CHT-GANYMEDE datasheet (366 KB)