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    CISSIOD高温晶体管开关-55°C 到 +300°C

    型号:-
    品牌:CISSIOD
    原产地:-
    类别:电子、电力 / 电子元器件 / 集成电路
    标签︰ -
    单价: -
    最少订量:-
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    西安明明电子有限公司

    免费会员陕西省西安市
    即时通讯:最后上线︰2015/01/12

    产品描述

    选型表:

      

    型号 VDSMAX IDSMAX VGS RDSON'@25 RDSON'@250 Input Capaciance(Typ) package RthJ(Typ) 操作温度
    CHT-NMOS8001 80V 1A 0 to +5V 1.2Ω 2.4Ω 160pF TDFP 11°C/W -55℃ to 225℃
    CHT-NMOS8005 80V 5A 0 to +5V 0.48Ω 0.99Ω 410pF T0254 5°C/W -55℃ to 225℃
    CHT-NMOS8010 80V 10A 0 to +5V 0.24Ω 0.46Ω 850pF T0254 5°C/W -55℃ to 225℃
    CHT-NMOS4005 40V 5A 0 to +5V 0.38Ω 0.65Ω 370pF T0254 5°C/W -55℃ to 225℃
    CHT-NMOS4010 40V 10A 0 to +5V 0.20Ω 0.36Ω 720pF T0254 3°C/W -55℃ to 225℃
    CHT-NMOS4020 40V 20A 0 to +5V 0.12Ω 0.25Ω 1.84nF T0254 2°C/W -55℃ to 225℃
    CHT-SNMOS80 80V 300mA -0.5V to +5.5V 07.5Ω 15Ω 23pF TO39,TO18 60°C/W -55℃ to 225℃
    CHT-PMOS3002 30V 2A +0.5V to -5.5V 2.3Ω 3.9Ω 150pF TO254 5°C/W -55℃ to 225℃
    CHT-PMOS3004 30V 4A +0.5V to -5.5V 1.1Ω 2.0Ω 300pF TO254 5°C/W -55℃ to 225℃

     

     

    1)高温功率MOSFET N-channel 80V

    CHT-NMOS-80,分别工作于5A和10A最大漏极电流,有两个型号:CHT-NMOS8005 and CHT-NMOS8010,具有极佳的高温性能和可靠性。

    CHT-NMOS80XX (CHT-NMOS8005 and CHT-NMOS8010)

    · 温度范围: -55°C to +225°C

    · 漏极电压最高:80V

    · 最大漏极电流 @ 225°C: (CHT-NMOS8005) 5A (CHT-NMOS801010

    · 导通电阻@25°C:0.50Ω (CHT-NMOS8005) and 0.25Ω (CHT-NMOS8010)

    · 栅极源极电压Vgs0V to +5V

    · 封装:TO-254 或根据客户要求提供晶元或其它定制型封装形式

     CHT-NMOS80 

    · 温度范围: -55°C to +225°C

    · 漏极电压最高80V

    · 最大漏极电流3.4A @ 225°C

    · 导通电阻@25°C: 0.55Ω  

    · 栅极源极电压Vgs0V to +5V

    · 封装:TO-254 或根据客户要求提供晶元或其它定制型封装形式

    2) 高温功率 MOSFET N-channel 40V

    CHT-NMOS40**是40V N沟道功率器件,有三个型号,分别工作于5A,10A和20A最大漏极电流,具有绝佳的可靠性和高温性能。

    · 温度范围: -55°C to +225°C

    · 漏极电压最高40V

    · 最大漏极电流@ 225°C: 3.9A (4005), 7.6A (4010), 14A (4020)

    · 导通电阻0.4Ω (4005), 0.2Ω (4010), 0.12Ω (4020) @25°C

    · 栅源电压VGS:0V to +5.5V

    · Also available as bare die

    CHT-PMOS30**是30V P沟道功率器件,有三个型号,分别工作于2A,4A和8A最大漏极电流,具有绝佳的可靠性和高温性能。

    3) 高温功率 MOSFET P-channel 30V

    · 温度范围: -55°C to +225°C

    · 漏极电压最高30V

    · 最大漏极电流@ 225°C: 2A (3002), 4A (3004), 8A (3008)

    · 导通电阻:3.9Ω (3002), 2Ω (304), 1Ω (3008) @225°C

    · 栅源电压Vgs0V to 到+5V

    · Also available as bare die

     1) 高温小信号 MOSFET N-channel 80V

    小信号N沟道MOSFET器件,适用于传感器接口,例如压力传感器,保护放大器,高阻抗负载切换,电平转换和高温二极管。

    · 温度范围: -55°C to +225°C

    · 漏极电压最高:80V

    · 最大漏极电流 300mA @ 225°C

    · 栅源电压:0V to +5V

    · 栅极输入电容: 23pF

    · 225°C工作时漏极截止电流@ 0.4μA

    · 封装形式:TO39金属外壳             

    · 温度范围: -55°C to +225°C

    2) 高温小信号MOSFET P-channel 30V

    · 漏极电压最高:30V

    · 漏极电流最高: 310mA   @ 225°C

    · 栅源电压:0V to +5V

    · 栅极输入电容14pF

    · 225°C工作时漏极截止电流@ 0.4μA

    · TO39金属外壳 

    · 温度范围: -55°C to +225°C

    6)高温dual MOSFET N-channel 40V

    · 漏极电压最高:40V

    · 漏极电流最高:225°C  2A

    · 导通电阻0.4 Ohms (each transistor) 

    · 栅源电压:0V to +5V

    · Ceramic SOIC16 package

    · 温度范围: -55°C to +225°C

    7)高温高电压碳化硅开关

    · 漏极电压最高:600V

    · 最大漏极电流@ 225°C: 1A

    · 导通电阻: 0.7Ω @ 25°C and 1.25Ω @ 225°C 

    · 栅源电压:0V to +5V

    · Metal TO254 package

    Ordering # 

    Description 

    Datasheet 

    CHT-PLA3172A-TO254-T 

    Silicon Carbide (SiC) High Voltage Switch 

    CHT-JUPITER datasheet (243 KB) 

    8)高温双系列小信号二极管 Dual Series Small Signal Diode

    ·  温度范围 -55°C to +225°C

    · 最大的反向电压: 80V

    · 最大正向电流 @ 225°C: 300mA

    · 电容值: 8.5pF

    · 反向电流:8.9μA @ 225°C 

    · TO18 metal can package

    Ordering # 

    Description 

    Datasheet 

    CHT-PLA5598A-TO18-T 

    Dual Series Small Signal Diode 

    CHT-GANYMEDE datasheet (366 KB) 

     

     


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