HMDS预处理真空烘箱
一、HMDS 预处理系统的必要性：
在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺显得更为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。
二、产品特点：
1)设备外壳采用医用级不锈钢316L不锈钢材质制作，内胆为不锈钢316L材料制成；采用C型不锈钢加热管,均匀分布在内胆外壁，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置；采用钢化、防弹双层玻璃观察窗,便于观察工作室内物品实验情况。
2)箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内保持高真空度。
3) 采用微电脑PID控制,系统具有自动控温,定时,超温报警等,采用LCD液晶显示,触摸式按钮,简单易用,性能稳定.
4)智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序、温度、真空度及每一程序时间。
5)HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，使真空箱密封性能极好，确保HMDS气体无外漏顾虑。
6)整个系统采用优质医用级316L不锈钢材料制作，无发尘材料，适用百级光刻间净化环境。
三、产品型号及参数：
型号：PVD-090-HMDS
容积：90L
控温范围：R.T.+10～250℃
温度分辨率：0.1℃
控温精度：±0.5℃
隔板数量：2PCS
真空度：<133Pa
真空泵：DM4
电源：AC220/50HZ
额定功率：3.0KW
内胆尺寸mm：宽450*深450*高450
外形尺寸mm：宽650*深640*高910
木箱包装mm:宽840*深750*高1100
连接管：316不锈钢波纹管，将真空泵与真空箱完全密封无缝连接
四、PVD-090-HMDS系列预处理系统的原理：
PVD-090-HMDS预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。
五、PVD-090-HMDS系列预处理系统的一般工作流程：
首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真空度达到某一高真空度后，开始充入氮气，充到某低真空度后，再次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表面生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。
六、尾气排放：
多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。
七、产品操作控制系统平台配置:
1.采用DM4直联旋片式真空泵
2.采用AISET温控器控制温度,日本三菱可编程触摸屏操作模块.
3.固态继电器
以下三款型号HMDS真空烘箱参数
PVD-020-HMDS真空干燥箱技术参数：
电源电压：AC220V/50Hz
输入功率：1500W
控温范围：室温+10℃-250℃
温度分辨率：0.1℃
温度波动度：±0.5℃
真空度极限：<133Pa
容积：20L
内室尺寸（mm）：300*300*275
外形尺寸（mm）：465*465*725
载物托架：1块
时间单位：分钟
PVD-090-HMDS真空干燥箱技术参数：
电源电压：AC220V/50Hz
输入功率：3000W
控温范围：室温+10℃-250℃
温度分辨率：0.1℃
温度波动度：±0.5℃
真空度极限：<133Pa
容积：90L
内室尺寸（mm）：450*450*450
外形尺寸（mm）：650*640*910
载物托架：2块
时间单位：分钟
PVD-210-HMDS真空干燥箱技术参数：
电源电压：AC380V/50Hz
输入功率：4000W
控温范围：室温+10℃-250℃
温度分辨率：0.1℃
温度波动度：±0.5℃
真空度极限：<133Pa
容积：210L
内室尺寸（mm）：560*640*600
外形尺寸（mm）：720*820*1050
载物托架：3块
时间单位：分钟
