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POWER-SEM
Single IGBT Driver
1DI 825
单路大功率IGBT 驱动核
特点
●基于ASIC 设计的单路IGBT 驱动核
●为1200V 及1700V 全系列IGBT 设计
●监测VCEsat 提供短路及过流保护
●独立监测每个IGBT 的VCEsat 提供保护(T 型)
●纳米非晶变压器隔离
●电源欠压保护(<12.5V 保护)
●故障记忆
●故障“软关断”
●通过“动态软关断”抑制关断尖峰
●内置驱动用DC/DC 隔离电源
● ±32A 峰值电流输出
● IGBT 门极驱动电压+15V/-9V
● 650ns 信号转换时间
● 110ns 故障信号返回时间
● 400ns 窄脉冲抑制消除射频干扰
●最高工作频率100kHz
●具备故障同步功能，低电平有效
●原边－付边的空气间隙距离42mm
应用
●单路或桥式电路
●变频器
●电焊机
●感应加热
●逆变器
●大功率UPS
●大功率高频开关电源