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离子束溅射镀膜机IBS系统-Denton离子束溅射镀膜 1
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离子束溅射镀膜机IBS系统-Denton离子束溅射镀膜

型号:INFINITY
品牌:Denton
原产地:美国
类别:电子、电力 / 其它电力、电子
标签︰离子束溅射镀膜机 , 双离子束溅射系统 , 离子束溅射机
单价: €1800000 / 件
最少订量:1 件
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上海螣芯电子科技有限公司

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产品描述

离子束系统可以实现:

稳定的膜层沉积速率;化学成分稳定
多种可选项,以适应不同应用要求:多种离子源可选;多种 工装夹具可选;多种镀膜控制方式可选;剩余气体分析;自动化控制方式可选

离子束溅射的优点:

成膜粒子动能大,因此,膜层致密性好,针眼少,对环境稳定

成膜真空度高(10-4TORR),因此,膜层纯度高

可以提供工件预处理以膜层附着力

独立控制离子能量和离子束流,可以提供更大的工艺灵活性,控制成膜组分,应力,围观结构等

稳定的沉淀速率,突出的膜层厚度控制和稳定的成膜均匀性

自动化控制-地工艺控制

倾斜式单旋转工件盘:

直径六英寸或八英寸的工件盘可选

水冷型

突出的沉积和刻蚀均匀性

倾斜式

可以通过调整倾斜角度得到工艺要求的台阶覆盖率

可以通过调节调节倾斜角度进一步均匀性

倾斜行星式工件盘:

三个直径六英寸的水冷型行星盘

采用行星式工件盘以得到更好的均匀性

突出的沉淀和刻蚀均匀性

倾斜式

离子束溅射沉积源:

多种型号射频或直流离子源可选

射频(3cm,6cm)

适合溅射工艺

污染小(无灯丝)

非常适合溅射介质材料,可以用于溅射金属

维护间隔时间超过200小时

※ 直流(3cm,5cm,8cm)

适合非反应溅射工艺

多种配置可供选择

等离子体桥状中和器:增强反应溅射工艺能力和小维护时间间隔在25-45小时

空心阴极中和器:减小污染,维护间隔时间长达150小时

非常适合溅射金属,可以用于溅射介质材料

离子源栅极选项:

材质:

石墨:适合无反应工艺

钼:适合大多数反应工艺

栅网结构:聚焦型离子源

发散型辅助或者预清洗源

采用三栅网结构可以使溅射工艺更加稳定

四栅网结构

靶材夹具:

当配置用于溅射时,配置水冷型四靶材夹具。可以装多四个直径5英寸的靶材。

泵选项:

机械泵:油泵/干泵

高真空泵:CTI低温冷凝泵/涡轮分子泵

终点控制:

溅射工艺:

时间控制:通常用于简单沉积工艺,少于20层;

石英晶体膜厚控制仪:MAXTEK260/360C,石英晶体失效情况下,采用时间控制

系统技术规格:

当配置为离子束沉积时,多可以安装四个直径5英寸靶材

提供单旋转倾斜式工装夹具,工件尺寸6英寸或8英寸,带水冷;

为获得更好的均匀性,提供行星式倾斜式工装夹具,三个6英寸行星工件盘,带水冷;

可以沉积无漂移光学薄膜;

可以在低于10-4 torr的真空度下沉积,成膜纯度;

配置双离子源时,可以实现基片预清洗,膜层附着力;

全自动成膜工艺控制;

·多种Veeco公司射频或直流离子源可供选择;

高真空低温泵或涡轮分子泵可选;

对于离子束沉积,成膜厚度控制可以采用时间控制或石英晶体膜厚控制仪控制;

离子束沉淀适合材料:

     介质材料:SiO2,Ta2O5,Al2O3,TiO2,Si3N4等

     金属材料:W, Au, Cu, Pt, NiFe, CrCo,Si等

 IBE和RIBE适用材料:

     介质材料:Si, SiO2, Al2O3, Polyimide等

     金属材料:NiFe, Cu, Au, Al.


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