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富士IGBT 2MBI600VN-120-50

特征
沟槽门IGBT
具有增强型Al2O3基底的铜基
高热循环能力
10µs短路耐受能力
低EON EOFF变体
IGBT Tvj（最大值）=175°C
应用
电机驱动
充电设备
可再生能源电力转换
电动汽车
大功率模块的电源线范围包括半桥、斩波器、双、单、双向开关配置包括从1200V到6500V，电流高达2400A。DIM600M1HS12-PC500为1200V半桥，沟道栅，绝缘栅双极晶体管（IGBT）具有增强场停止和植入的模块
技术。IGBT具有宽的反向偏置安全性工作区（RBSOA）加10μs短路经得起考验。该装置针对牵引驱动进行了优化
以及其他需要高热循环的应用能力。

该模块包含一个电气隔离底座极板低电感结构使能电路设计师优化电路布局并利用安全接地散热器。
订购信息
订购方式：
DIM600M1HS12-PC500
注意：订购时，请使用完整的零件数

绝对最大额定值
高于“绝对最大额定值”下所列的应力可能会对设备造成永久性损坏。在
极端条件下，与所有半导体一样，这可能包括潜在的危险包装破裂。
应始终遵循适当的安全预防措施。暴露于绝对最大评级可能会影响
设备可靠性。
t除非另有说明，否则温度=25°C

热和机械额定值
内保温材料：Al2O3
基板材料：铜
爬电距离-端子到散热器：14.5mm
爬电距离-端子间：13.0mm
间隙-端子到散热器：12.5mm
间隙-端子到端子：10mm
CTI（比较跟踪指数）：>200

电气特性
t除非另有说明，否则温度=25°C

封装详细信息
欲了解更多套餐信息，请访问我们的网站或联系客户服务。
除非另有说明，所有尺寸单位均为mm。

如果您需要了解更多富士IGBT相关资讯，参考：https://fujichina.diytrade.com/sdp/2952388/2/nl-7796608/0/富士IGBT资讯.html