| 型号： | PH852DBR |
|---|---|
| 品牌： | Photodigm |
| 原产地： | - |
| 类别： | 电子、电力 / 电子元器件 / 二极管、三极管 |
| 标签︰ | 852nm激光管 , 铯原子 , 原子冷却 |
| 单价： |
¥21580
/ 件
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| 最少订量： | 1 件 |
| 最后上线︰2023/01/20 |
PH852DBR
852nm系列
高功率(280mW)、单频输出激光二极管
核心技术：
（1）DBR单频激光芯片；（2）AlGaAs 量子阱有源层。
产品特点：
（1）高功率，单频输出；（2）激光线宽小于1MHz；（3）多种封装形式；（4）无跳模调谐范围宽；（5）使用寿命长；（6）可提供纳秒或皮秒脉冲输出。（7）调制频率可达6.8GHz（for putting sidebands on the laser)。
PH852DBR系列高功率激光二极管是基于Photodigm公司先进的单频率激光芯片技术设计而成。它可以提供衍射极限且单纵模输出的激光光束，主要应用于Cs原子光谱研究等领域。
852nmDBR激光二极管将光栅放置于激光有源层的一端，可有效避免二极管工作时电流对光栅造成的冲击，能够充分保证激光二极管的使用寿命和稳定性。另外，DBR激光二极管采用单步分子束外延生长而成，使生产成本更加低廉，并且保证了低内部损耗和高输出功率。
技术参数：
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储存温度 |
0-80℃ |
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工作温度 |
5.0-70℃ |
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正向电流（连续模式输出） |
40-250mA(Typ) |
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正向电流（脉冲模式输出），T=25℃ 脉冲宽度：300ns |
0.5A |
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激光反向电压 |
0.0V |
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光电二极管正向电流 1/2/ |
5.0mA |
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光电二极管反向电压 1/2/ |
20.0V |
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光电二极管暗电流，VR=10V，1/2/ |
50nA |
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TEC电流 1/2/ |
-2.0—2.0A |
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TEC电压 1/2/ |
-1.9—1.9V |
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热敏电阻电流 1/2/ |
1.0mA |
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热敏电阻电压 1/2/ |
10V |
连续模式输出技术参数（T=25℃）
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中心波长 |
852.3nm(Typ.) |
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输出功率 |
40-280mW |
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斜率效率（蝶形封装） |
0.36W/A |
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斜率效率（TO-8封装） |
0.72W/A |
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阈值电流 |
40mA |
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激光二极管电阻值 |
2.5Ω |
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正向电压 |
2.0V |
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热敏电阻阻值@25℃，1/2/ |
10KΩ |
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光电二极管暗电流，VR=10V，1/2/ |
50nA |
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激光线宽 |
0.5MHz |
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温度调谐系数 |
27GHz/℃ |
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电流调谐系数 |
1.3GHz/mA |
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偏振消光比，1/ |
-19dB |
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光束发散角@FWHM |
6x32° |
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边模抑制比 |
-30dB（Min） |
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激光偏振 |
TE |
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模式结构 |
基模 |
1/蝶形封装 2/TO-8封装
注意事项：
此激光二极管是静电敏感器件，操作时请注意接地保护和佩戴静电手环。存储时请将各管脚短接在一起并放入防静电的容器内。
