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□规 格：满足2"多片晶圆
□工 艺：GaN/GaAs等薄膜工艺
□设备组成：反应室、真空及压力控制系统、载片、气源系统、控制系统、气瓶柜等组成
□结构形式：电阻加热/感应加热
□能 力：2英寸1、3、6片
科研用常规MOCVD主要参数如下：
设备参数和配置：外延片3×2 英寸/炉
反应腔温度控制：1300℃
压力控制：0～800Torr
激光干涉在位生长监测系统
反应气体：氨气，硅烷
携带气体/载气：氢气，氮气；
MO源：三甲基镓(TMGa)，三乙基镓(TEG),三甲基铟(TMIn), 三甲基铝(TMAl)，二茂基镁(Cp2Mg),二甲基辛(DMZ)等

系统组成：
    由生长室、气源、气体控制系统、真空系统、整机的计算机控制系统等组成。系统各工艺参数均可由计算机自动控制（ WINDOW 界面）。
技术说明：
1 、生长过程中气体的流量、衬底转速度、衬底的加热温度、生长室的工作压力等工艺参数由计算机实时自动控制。
2 、系统生长室的本底真空度可达 1.0 × 10 -5 Pa ，生长压力可以在 1.0 ～ 1.0 × 10 -5 Pa 的范围内设定，预处理室的真空度可达 1.0 × 10 -5 Pa 
3 、系统采用磁流密封技术，样品可在 0 ～ 1500rpm 范围内旋转。
4 、系统可用于 III - V 族氮化物材料及其低维或多层结构的常压与低压生长。
5 、系统配置：进口组件，模块化系统。
 

产品供货形式：
□可与大学、科研院所单位合作完成相应的整机制造。
□可按要求提供相应的组件，如气路单元制造、反应室设计制造、电控设计制造、计算机控制系统、机柜加工、气瓶柜、气路盘/箱、尾气处理等等。
□二手设备的更新改造。
产品类型：科研型（R&D）
应用领域：化合物半导体-LED/半导体照明等科研领域

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