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编带陶瓷电容 1编带陶瓷电容 2
  • 编带陶瓷电容 1
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编带陶瓷电容

型号：103P
品牌：HM
原产地：中国
类别：电子、电力 / 电子产品存货
标签︰陶瓷电容 , 瓷片电容 , 陶瓷电容器
单价： ¥58 / 件
最少订量：1000 件
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最后上线︰2019/03/09

所有产品信息 (13)

产品描述

瓷片电容

产品简介：
　　产品名称： 温度补偿用陶瓷电容器 TEMERATURE COMPENSATING GERAMIC CAPACITOR 产品规格： CCI 电容范围： Within the tolerance at 1M Hz 1±0.2Vrms,25 ℃ 工作电压： 50VDC.500VDC 产品说明： T.C.温度补偿电容器主要由氧化钛组成,具有较低的介电常数,低损耗,高稳定性,电容量随温度变化近似线性.这种电容器主要使用谐振回路或其它高要求值和高稳定性的电路. 产品名称： 温度补偿用陶瓷电容器 TEMERATURE COMPENSATING GERAMIC CAPACITOR 产品规格： CCI 电容范围： Within the tolerance at 1M Hz 1±0.2Vrms,25 ℃ 工作电压： 50VDC.500VDC 产品说明： T.C.温度补偿电容器主要由氧化钛组成,具有较低的介电常数,低损耗,高稳定性,电容量随温度变化近似线性.这种电容器主要使用谐振回路或其它高要求值和高稳定性的电路.

温度补偿型陶瓷电容器(TEMPERATURE COMPENSATING DIELECTRIC TYPE)


1.特点及用途(FEATURES & APPLICATIONS)
　　
　　 温度补偿型电容器，又称高频陶瓷电容器。该类电容器的电容量随温度改变呈线性变化，适用于调谐回路和需要补
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　 偿温度效应的电路中。

 

2.技术指标(SPECIFICATIONS)

电容量(capacitance) 0.5pF～1000pF
电容量允许偏差(capacitance tolerance) C(±0.25pF),D(±0.5pF), J(±5%), K(±10%)
温度系数(temperature coefficient) NP0,N750,SL
使用温度(operating temperature) -25℃～85℃
额定电压(rated voltage) 50～160,500VDC
耐电压(voltage proof) 2.5Ur
品质因素(quality factor)(Q) C≥30pF,Q≥1000；C<30pF,Q≥400+20*C
@ 1MHz,1±0.2Vrms,25℃
绝缘电阻(insulation resistance)(IR) IR≥10000MΩ @ 25℃,the rated voltage
测试电压(testing voltage) 3 times the rated voltage

3.电容量对照表(CAPACITANCE CHART)

额定电压（VDC） 产品尺寸 电容温度系数组别 引线尺寸
直径 厚度 CH（NP0） UJ（N750） SL（P100～N1000） 间距 直径
Dmax Tmax 电容量
范围(pf)		 素子
尺寸		 电容量
范围(pf)		 素子
尺寸		 电容量
范围(pf)		 素子
尺寸
50～160 5.0 3.0 0.5～47 4718 22～56 4718 20～130 4718 2.5±0.8 0.40±0.05
5.5 51～56 5218 62～82 5218 150～220 5018
6.0 62～82 5618 　 　 　 　 5.0±1.0 0.45±0.05
6.5 85～100 6218 85～120 6018 250～270 6018
7.0 110～130 6818 100～130 6518 300～360 6518
7.5 　 　 180 7018 390～430 7018
8.5 140～150 7518 200～220 7818 470～500 7818
9.0 180～200 8418 　 　 510～560 8318 0.53±0.05
10.0 220～270 9518 　 　 620～680 9518
10.5 　 　 　 　 750～820 9818
11.0 300～330 10818 　 　 1000 10518
500 5.5 4.0 0.5～33 4825 18～40 4825 18～120 4825 5.0±1.0 0.45±0.05
6.0 36～56 5525 　 　 120～180 5525
6.5 　 　 　 　 200～220 6825
7.5 　 　 　 　 230～270 7825 0.53±0.05
9.0 　 　 　 　 300～390 8325
电容量允许偏差

小于10pf，±0.25pf，±0.5pf；大于或等于10pf，±5%，±10%

 　 　
包装方式 散装，编带 　 　

4.Ⅰ类温度补偿型瓷介电容器温度特性表

代码 电容器温度特性 标称电容量
组别 温度系数 0.5～2pF 2.1～3.9pF 4.0～9.9pF >10pF
温度系数允许偏差（25℃～85℃）
C0 NP0 0 K（±250） J（±120） H（±60） G（±30）
S1 N033 -33 K（±250） J（±120） H（±60） G（±30）
U1 N075 -75 K（±250） J（±120） H（±60） G（±30）
P2 N150 -150 K（±250） J（±120） H（±60） G（±30）
R2 N220 -220 K（±250） J（±120） H（±60） G（±30）
S2 N330 -330 K（±250） J（±120） H（±60） H（±60）
T2 N470 -470 K（±250） J（±120） J（±120） H（±60）
U2 N750 -750 K（±250） J（±120） J（±120） J（±120）
P3 N1500 -1500 K（±250） K（±250） K（±250） K（±250）
R3 N2200 -2200 L（±500） L（±500） L（±500） L（±500）
S3 N3300 -3300 L（±500） L（±500） L（±500） L（±500）
T3 N4700 -4700 M（±1000） M（±1000） M（±1000） M（±1000）

SL:可使用从P100至N1000的任何Ⅰ类材料(不规定允许偏差) .

SL:Any Class Ⅰmaterial from P100 to N1000 may be used ( no tolerance specified )

YL:N3300(S3L)

 

高介电常数型陶瓷电容器（HIGH DIELECTRIC CONSTANT TYPE)
 
1.特点及用途(FEATURES & APPLICATIONS)

 

 

　　高介电常数型电容器又称低频陶瓷电容器。该类电容器具有介电常数高，容量大，体积小的特点.适用于旁路、耦合、隔直流和滤波等电路中。


2.技术指标(SPECIFICATIONS)

名称(item) 技术要求(specification)
电容量(capacitance) 151～223
电容量允许偏差(capacitance tolerance) K(±10%),M(±20%),Z(+80%-20%)
使用温度(operating temperature) -25～85℃
温度特性(temoerature characteristic) Y5P、Y5U、Y5V
额定电压(rated voltage) 50～160,250,500VDC
损耗角正切值(dissipation factor)(tgδ) tgδ≤2.5%
@ 1KHz,1±0.2Vrms,25℃
耐电压(voltage proof) 2.5Ur
绝缘电阻(insulation resistance)(IR) IR≥10000MΩ @ 25℃,the rated voltage
测试电压(testing voltage) 3 times the rated voltage


3.电容量与尺寸对照表(CAPACITANCE CHART)

额定电压 产品尺寸 温度特性 引线尺寸
Y5P（B） Y5U（E） Y5V（F）
直径 厚度 电容量
范围		 素子尺寸 电容量
范围		 素子尺寸 电容量
范围		 素子尺寸 间距 直径
50～160
 5.0
3.0
221～152
4718
152～502
4718
222～682
4718
2.5±0.8
0.40±0.05
5.5
182～222
5018
682
5018
103
5016
6.5
252～332
5818
822～103
6018
103
6020
5.0±1.0
0.45±0.05
7.5
472
6818
 　
 
 　
 
 　
 
 　
 
8.0
502～562
7518
 　
 
 　
 
 　
 
 　
 
9.0
682
8520
 　
 
 　
 
153～223
8220
0.53±0.05
10.5
822～103
9820
 　
 
 　
 
 　
 
 　
 
500
 5.0
4.0
151～561
4835
102～222
5040
 　
 
 　
 
5.0±1.0
0.45±0.05
5.5
681～102
5035
 　
 
 　
 
222～332
5040
6.0
122
5535
 　
 
 　
 
 　
 
 　
 
6.5
152
6035
272～392
5840
392～562
6040
7.0
182
6535
 　
 
 　
 
 　
 
 　
 
7.5
222
7035
472～502
7040
682
7040
8.0
272
7535
682
7640
 　
 
 　
 
8.5 　
 
 　
 
 　
 
 　
 
822～103
8040
9.0
332
8435
 　
 
 　
 
 　
 
 　
 
0.53±0.05
9.5
392
8835
822～103
9035
 　
 
 　
 
10.5
472
9835
 　
 
 　
 
223
9530
12.5
682
11535
 　
 
 　
 
 　
 
 　
 
14.5
103
13535
 　
 
 　
 
 　
 
 　
 
电容器允许偏差
±10，±20%
±20%
+80/-20%
 　 　
包装方式 散装，编带 　 　


4.Ⅱ、Ⅲ类瓷介电容器的通用特性（适用于DCT，DCS）

　　代码由三个字组成，第一个字表示最低温度，第二个字表示最高温度，第三个表示在整个温度范围内相对于25℃的电容量读数的最大变化率。

●Ⅱ、Ⅲ类温度特性表

第一位字（表示最低温度） 第二位字（表示最高温度） 第三位字（表示在整个温度范围内相对于25℃的电容量读数的最大变化率）

 

X —55℃
Y —30℃
Z ±10℃

 

 

　
4  +65℃
5  +85℃
6  +105℃
7  +125℃
8  +150℃

 

　
A        ±1.0%
B        ±1.5%
C        ±2.2%
D         ±3.3%
E         ±4.7%
F         ±7.5%
P         ±10%
R         ±15%
S         ±22%
T    +22%     -33%
U     +22%    -56%
V     +22%     -82%

●常用温度特性代码对照表

EIA代码/国际惯用代码 NP0 N150 N220 N470 N750 SL Y5P Y5U Y5V
GB代码 CH PH RH TH UJ SL 2B4 2E4 2F4

●温度特性和电容量允许偏差优先值表

温度特性 电容量允许偏差
K M S Z（P）
Y5P √ × × ×
Y5U × √ × ×
Y5V × × √ √

 

半导体型陶瓷电容器（SEMI-CONDUCTIVE TYPE）
 
1.特点及用途(FEATURES & APPLICATIONS)

 

 
    半导体型陶瓷电容器具有容量大，体积小等特点，适用于滤波、旁路、耦合等电路中。

 

2.技术指标(SPECIFICATIONS)

电容量(capacitance)

 0.01μF～0.22μF
电容量允许偏差(capacitance tolerance) K(±10%),M(±20%),Z(+80% -20%)
使用温度(operating temperature) -25℃～85℃
温度特性（temperature characteristic） Y5P,Y5U,Y5V
额定电压(rated voltage) 16VDC,25VDC,50VDC
损耗角正切值(dissipation factor)(tgδ)

16V: tgδ≤7%
25V,50V：tgδ≤3.5%（Y5P），tgδ≤5%（Y5U、Y5V）
@ 1KHz,1±0.2Vrms,25℃
绝缘电阻(insulation resistance)(IR)

16V: IR≥100MΩ or 10MΩ·μF(whichever is smaller)
25V: IR≥250MΩ or 20MΩ·μF(whichever is smaller)
50V：IR≥1000MΩ
耐电压（voltage proof） 1.5Ur
测试电压(testing voltage) 2 times the rated voltage

　

3.电容量与尺寸对照表

额定电压
产品
尺寸

温度特性

引线尺寸
（VDC）
直径
厚度
Y5P（B）
Y5U（E）
Y5V（F）
间距
直径
电容量
范围
素子
尺寸
电容量
范围
素子
尺寸
电容量
范围
素子
尺寸
16
5.5
4.0
 　
 
 　
 
 　
 
 　
 
683～104
5320
2.5±0.8
0.40±0.05
6.0
 　
 
 　
 
 　
 
 　
 
683～104
5620
5.0±1.0
0.45±0.05
6.5
 　
 
 　
 
 　
 
6225
 　
 
 　
 
7.5
 　
 
 　
 
 　
 
 　
 
124～154
7020
8.5
 　
 
 　
 
 　
 
 　
 
204～224
8030
25
4.0
 　
 
 　
 
 　
 
 　
 
103～473
3816
2.5±0.8
0.40±0.05
4.5
 　
 
 　
 
153～223
4225
 　
 
 　
 
5.0
 　
 
 　
 
333
4625
 　
 
 　
 
6.0
 　
 
 　
 
473
5625
683～104
5625
5.0±1.0
0.45±0.05
6.5
 　
 
 　
 
 　
 
 　
 
683～104
6025
7.5
 　
 
 　
 
683～104
7025
 　
 
 　
 
8.5
 　
 
 　
 
 　
 
 　
 
224
8030
0.53±0.05
11.0
104
10330
 　
 
 　
 
 　
 
 　
 
50
4.0
 　
 
 　
 
103
3816
153～223
3826
2.5±0.8
0.40±0.05
4.5
 　
 
 　
 
153～223
4225
 　
 
 　
 
5.0
103
4625
333
4625
133～473
4625
6.0
153～223
5625
473
5625
683
5625
5.0±1.0
0.45±0.05
7.5
333
7025
 　
 
 　
 
104
7025
8.5
473
8030
683～104
8030
154
8030
0.53±0.05
9.5
 　
 
 　
 
 　
 
 　
 
224
9030
12.0
104
11035
 　
 
 　
 
 　
 
 　
 
电容量允许偏差
±10%
±20%
+80/-20%，+50/-20%
 　
 
 　
 
包装方式
散装，编带
 　
 
 　
 

　
4.Ⅱ、Ⅲ类瓷介电容器的通用特性（适用于DCT，DCS）

       代码由三个字组成，第一个字表示最低温度，第二个字表示最高温度，第三个表示在整个温度范围内相对于25℃的电容量读数的最大变化率。

●Ⅱ、Ⅲ类温度特性表

第一位字（表示最低温度）
第二位字（表示最高温）
第三位字（表示在整个温度范围内相对于25℃的电容量读数的最大变化率）

X —55℃

Y —30℃

Z ±10℃

4  +65℃

5  +85℃

6  +105℃

7  +125℃

8  +150℃
A   ±1.0%
B   ±1.5%
C   ±2.2%
D   ±3.3%
E   ±4.7%
F   ±7.5%
P   ±10%
R   ±15%
S   ±22%
T +22%　 -33%
U +22% -56%
V +22% -82%

●常用温度特性代码对照表

EIA代码/国际惯用代码
NP0
N150
N220
N470
N750
SL
Y5P
Y5U
Y5V
GB代码
CH
PH
RH
TH
UJ
SL
2B4
2E4
2F4

●温度特性和电容量允许偏差优先值表

温度特性
电容量允许偏差
K
M
S
Z（P）
Y5P
√
×
×
×
Y5U
×
√
×
×
Y5V
×
×
√







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编带陶瓷电容 1
图 1
编带陶瓷电容 2
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