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TeraSense太赫兹发射器(IMPATTdiode) 1
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TeraSense太赫兹发射器(IMPATTdiode)

型号:-
品牌:TeraSense
原产地:美国
类别:电子、电力 / 仪器、仪表 / 光学透镜和仪器
标签︰TeraSense , 太赫兹发射器
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上海瞬渺光电技术有限公司

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即时通讯:最后上线︰2019/06/13

产品描述

太赫兹发射器 (碰撞雪崩渡越时间二极管)

 

 

TeraSense公司简介:

TeraSense是一家俄罗斯的太赫兹设备生产商,主要产品包括:低成本、便携式亚太赫兹成像相机、太赫兹发射源和超快探测器等。TeraSense拥有一支强大的技术团队,包括20多位富有经验的科学家和工程师。他们中的大多数都拥有微波和太赫兹研究领域的博士学位,代表了俄罗斯物理学家的年轻一代。科学组已经取得了多项研究成果,并且在国际同行业评审期刊上发表了超过300篇论文。

 

产品描述:

TeraSense系列太赫兹源(IMPATT diode,碰撞雪崩渡越时间二极管),是一种硅双漂移二极管,过渡区域0.6um,安装在铜散热器上。双偏移二极管的分层:重掺杂(p +)层,适度掺杂(p-)层,适度掺杂(n-)层和重掺杂(n +)层。(p +)和(n+)层允许欧姆电触点接触到外部电路。设备依靠负电阻产生和维持振荡。

Terasense现在提供雪崩渡越二极管的升级版本。升级后的雪崩渡越二极管配备防护隔离器,大大提高了输出功率的稳定性。你可以根据需要,选择带有严格固定的喇叭天线的雪崩渡越二极管,或带有WR -法兰的雪崩渡越二极管。优化频率为100 GHz时,雪崩渡越二极管的典型输出功率可以达到100mW

 

产品特点:

可用频率: 100 GHz ,140 GHz

大功率输出 (80 mW30mW)

稳定性高

线宽缩小至1 MHz

工作电流: 150 – 180 mA

价格低廉

结构紧凑,体积小,易于集成

 


产品图片

TeraSense太赫兹发射器(IMPATTdiode) 1
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