| 型号： | 2MBI200VH-170 |
|---|---|
| 品牌： | 富士 |
| 原产地： | 日本 |
| 类别： | 电子、电力 / 其它电力、电子 |
| 标签︰ | 富士 , 富士IGBT , 富士官网 |
| 单价： |
¥445
/ 件
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| 最少订量： | 10 件 |
| 最后上线︰2023/02/14 |
富士IGBT模块2MBI200VH-170
富士IGBT电源模块提供低传导损耗和短路强度。它们是为以下应用而设计的交流逆变器。
特征
低电压CE（sat）沟道IGBT技术
低开关损耗
10μs短路能力
正温度系数的V CE（sat）
低电感外壳
快速和软反向恢复反并联FWD
采用DBC技术的隔离铜基板等效电路原理图
典型应用
交流逆变器驱动电源575-750V AC
公共交通（辅助系统）
技术参数
封装尺寸
如您要采购富士IGBT模块2MBI200VH-170，请联系富士官网中国销售。
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