型号: | 2MBI400VXB-330 |
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品牌: | 富士 |
原产地: | 日本 |
类别: | 电子、电力 / 其它电力、电子 |
标签︰ | 富士IGBT , 富士IGBT模块 |
单价: |
¥2552
/ 件
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最少订量: | 2 件 |
最后上线︰2023/02/14 |
富士IGBT模块2MBI400VXB-330
特征
10µs短路耐受能力
高热循环能力
高电流密度增强型DMOS SPT
带有AlN基底的隔离AlSiC基底
应用
高可靠性逆变器
电机控制器
牵引驱动
切碎机
大功率模块的电源线范围包括
半桥、斩波器、双、单、双向
开关配置包括从1200V到
6500V,电流高达2400A。
DIM500GDM33-TS000是一个单开关3300V,
n沟道增强模式,绝缘栅双极性
晶体管(IGBT)模块。IGBT具有广泛的
反向偏置安全工作区(RBSOA)加10μs
短路耐受。此设备针对
牵引传动和其他要求高
热循环能力。
该模块包含一个电气隔离底座
极板低电感结构使能电路
设计师优化电路布局并利用
安全接地散热器
绝对最大额定值
上述最大额定值下的应力可能会对设备造成永久性损坏。在
极端条件下,与所有半导体一样,这可能包括潜在的危险包装破裂。
应始终遵循适当的安全预防措施。暴露于绝对最大评级可能会影响
设备可靠性。
t除非另有说明,否则温度=25°C
热和机械额定值
内保温材料:AlN
基板材料:AlSiC
爬电距离:33mm
间隙:20mm
CTI(比较跟踪指数):>600
电气特性
t除非另有说明,否则温度=25°C
典型输出特性
包装详细信息
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除非另有说明,所有尺寸单位均为mm
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